美国PCB 3501A2060KG加速度传感器

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产品参数

震动加速度计，60公斤，MEMS传感器安装在芯片载体（SMT）中

• 灵敏度：（±50％）.003 mV / g 0003 mV /（m /s²））
• 测量范围：±60000 g（±588400 m /s²pk）
• 频率范围：（1dB）0至20000 Hz
• 感应几何：全主动
• 安装：表面贴装
• 重量：克（盎司）

压阻MEMS高振幅冲击加速度计代表了微型，高振幅，直流响应加速度传感器的工业技术。该系列能够测量长时间的瞬态运动，并能够响应并幸存的极快的上升时间，这是爆炸，射击和冲击测试中常见的高克冲击事件。提供打包和OEM配置，以满足各种安装要求。

气密密封的传感元件具有超限止动装置，旨在提高生存能力，是空气阻尼的；它是全有源惠斯通电桥，具有高输入电阻，可降低功耗。它是由单晶硅微机械加工而成，并采用了深度反应离子刻蚀（DRIE）技术，具有的刻蚀技术和设备。

应用范围：

金属对金属的冲击和焦作

数据记录器，穿透器和发射测试

消费电子跌落测试

体育用品和冲击工具测试

结构的爆炸荷载和生存力

引信，安全与武装

MEMS代表微机电系统，适用于使用微电子制造技术制造的任何传感器。这些技术通常在硅上创建微观尺寸的机械传感结构。当与微电子电路耦合时，MEMS传感器可用于测量物理参数，例如加速度。与ICP®传感器不同，MEMS传感器可测量低至0 Hz（静态或直流加速度）的频率。PCB®制造两种类型的MEMS加速度计：可变电容式和压阻式。可变电容（VC）MEMS加速度计是用于结构监测和恒定加速度测量的低范围，高灵敏度设备。压阻（PR）MEMS加速度计是用于冲击和爆炸应用的更高范围，低灵敏度的器件。

由MEMS技术制造的压阻冲击加速度计具有低功耗，同时在加速度大于50 kg时仍可提供+/- 200 mV满量程输出。加速度计与用于调节应变仪全桥的相同类型的4线电路电气兼容，并且与应变仪相比，它们的输出要大得多，因此大大降低了信号放大的要求。与机械隔离的ICP®加速度计相比，它们提供了更宽的工作温度范围。根据型号的不同，它们的频率响应可以从DC（0 Hz）到高达20 kHz的值保持一致。为了降低其共振频率激发时的响应强度，它们采用了挤压膜阻尼，可达到至的临界值。这些阻尼值远高于传统MEMS加速度计中的阻尼值。由于硅是一种脆性材料，因此还加入了超限挡块，以地减少传感元件的损坏，然后将传感元件密封在密封包装内。在相当的G等级下，MEMS技术使单个加速度计的封装尺寸最小。